Notice: Undefined index: group_show in C:\wwwroot\kuwang.net.cn\module\brand\show.inc.php on line 7

Notice: Undefined index: group_contact in C:\wwwroot\kuwang.net.cn\module\brand\show.inc.php on line 36
bj_chenhong_其他_專家庫_中國能源智庫網
當前位置: 首頁 » 專家庫 » 其他 »

陳弘

研究員|中國科學院【北京】

瀏覽次數432 更新日期:2018-04-03

查看個人主頁

專家介紹

研究領域

       GaN基材料的MOCVD生長及物性研究,GaN基材料在發光二極管、激光器、紫外探測器、微電子方面的應用研究,GaAs基、SiGe材料的MBE材料生長和物性研究。

概況

       發明了一種新的SiGe生長技術。采用低溫Si作為應力釋放的犧牲層的方法得到了位錯密度低于106cm-2的完全弛豫的SiGe層。對GaAs(001)襯底上生長GaN薄膜的相結構的控制進行了系統的研究,提出了完全不同于國外已經報道的影響GaN外延層相結構的生長機制如氮化及其溫度和時間、As壓的使用等。在GaN基發光二極管外延片的研究中解決了大失配外延,量子阱的生長,發光二極管的結構的生長和設計的問題。GaN HEMT的研究解決了GaN的半絕緣和AlGaN的生長和HEMT的結構優化。聯合培養了博士研究生15名,在讀博士研究生5名。目前承擔863課題、973課題、院創新GaN發光二極管,HEMT和GaAs微電子和探測器等方面的課題。

工作經歷

       1984年 西安交通大學電子工程系半導體器件專業畢業,獲得學士學位,1992年中國科學院物理研究所獲得博士學位,1992年至今從事分子束外延和MOCVD半導體材料生長及結構與物性研究。1996年~1997年 香港科技大學訪問工作,從事電鏡研究?,F為物理所新型化合物半導體材料和物性研究課題組長。

相關專利

申請專利20多項。

論文集合

在國外主要刊物上發表論文70多篇。

論文下載

專利下載

打賞
0相關評論
 

專家推薦服務

匯聚10000+高端行業專家

中國能源智庫網

  • 聯系人:庫網    
  • 電  話:010-88624216
  • 地  區:北京

我有需求,想咨詢

 
 
同類專家